EMH9T2R
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Rohm Semiconductor EMH9T2R
| Artikelnummer: | EMH9T2R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 1000+ | $0.1663 |
| 2000+ | $0.1517 |
»
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- Verpackung
-
Rohm Semiconductor EMH9T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments EMH9T2R.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse EMT6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Leistung - max 150mW Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer EMH9T2 EMH9T2R Einzelheiten PDF [English] EMH9T2R PDF - EN.pdf -
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-
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.
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